Tubo de Campo MOSFET

I. introdução ao MOSFET

Transistor de efeito de Campo semicondutor de óxido metálico, ou MOSFET, é um transistor de efeito de Campo que pode ser amplamente usado em circuitos analógicos e digitais. A MOSFET é dividida em dois tipos de " n" e " p", geralmente conhecidos como N-MOSFET e p - MOSFET, que são amplamente usados em interruptores de circuitos, dependendo da polaridade de seus " canais" ( portadores de trabalho ).

Em segundo lugar, as habilidades de seleção de MOSFETS

1. utilize n - valas ou p - valas, nos interruptores laterais de baixa tensão, nas quais a n - valas MOSFET deve ser utilizada, tendo em conta a tensão necessária para desligar ou canalizar OS dispositivos. Quando o MOSFET for ligado ao barramento e à terra de carga, ele usará um interruptor lateral de alta tensão. Eralmente é devido a considerações de acionamento de tensão;

2. quanto maior a classificação de voltagem, maior o custo do dispositivo e o Voss deve cobrir a faixa de tensão de operação nominal do circuito e prestar atenção à curva de temperatura;

3. determine a classificação da corrente, que deve ser a máxima que a carga possa suportar em todas as condições;

4. depois de selecionar a corrente nominal, a perda de condução também deve ser calculada. A MOSFET é " condutora" como uma resistência variável determinada pelo RDS(ON ) do dispositivo e varia significativamente com a temperatura. A perda de Energia do dispositivo pode ser calculada pelo Lloyd ad 2 xrds ( on ) e também pode mudar proporcionalmente. Quanto maior a voltagem aplicada a MOSFET, menor será o Rosie; Pelo contrário, OS Rps(ON ) terão que fazer concessões. Para designs portáteis, use um design maior e uma voltagem mais alta. Observe que a resistência do sistema ROS aumenta ligeiramente com a corrente;

5. determinar o desempenho do interruptor, seja a porta / vazamento, a porta / origem e o capacitor da fonte do vazamento. Esses capacitores causam perda de comutação no dispositivo porque são baixos em cada interruptor e a eficiência do dispositivo é reduzida. Para calcular a perda total do dispositivo durante o processo de comutação, o designer deve calcular a perda ( Eon ) durante a abertura e a perda ( Eoff ) durante o desligamento.

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0.25 0.29 0.41 1.1 1.5 1.6 1.8 1.9 11月28日 2 2.1 2.2 2.3 2.5 2.9 3 3.1 3.3 3.4 3.5 4 4.1 4.2 4.4 4.5 4.7 5.5 5.7 5.8 5.9 6 6.1 6.5 6.6 6.8 6.9 7.2 7.3 7.5 7.8 8 8.2 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 9 9.2 9.5 9.7 10 10.5 11 11.5 12 12.3 12.6 12.8 13 13.4 13.5 14 14.3 14.5 14.6 15 15.2 15.5 16 17 17.4 17/37 18 18.5 18.9 19.5 19.5/49 20 20.5 20/37 21 21.5 22 22.5 24 24.4 24/68 25 26 26.5 27 28 29 30 30.4 30.5 32 33 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 48 49 50 52 53 55 57 58 59 60 62 64 65 68 70 71 75 78 80 81 82 85 88 90 95 96 98 100 110 115 120 125 130 135 158 160 165 170 180 190 200 230 240 250 260 270 290 300 320 410 430 450 560 600 610 1300 1800 2000 2300 2500 260/460 28/60 29/78 30.3/42.6 3000 3500 3800 39/53 43/80 47/70 5000 60/110 6000 7.7/16.8 800 — Filter Reset	Ron(4.5V) (mΩ)Max All - 0.375 0.4 0.7 1.5 10月20日 2 2.3 2.4 2.5 2.6 3 3.2 3.5 3.6 3.8 3.9 4.5 4.8 5 5.2 5.5 6 6.5 6.6 6.8 7 7.6 8 8.2 8.3 8.5 8.8 9 9.5 10 10.5 11 12 12.5 13 13.5 14 15 16 16.5 16/38 17 18 18.5 20 21 21.5 22 23 24 25 25.35 25/64 26 27 28 29.5 29/61 30 30/54 31 32 32/74 33 34 35 35/85 36 36.4 37 37/50 38 39 40 40/85 400/700 42 43 44 45 47 48 48/58 50 52 53 55 56 57 60 62 64 65 68 70 73 75 80 82 88 90 93 95 100 105 110 112 115 120 125 130 135 140 145 150 160 165 170 180 200 220 230 240 250 300 310 320 350 375 380 400 460 500 520 560 600 700 850 1000 1200 2000 3000 3200 4000 5000 5500 60/110 6000 65/110 65/96 7000 7500 8000 10000 95/150 — Filter Reset
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LM5D120N03	DFN5X6-8	30	120	20	1.5	1.5	2.4	2.5	4.5